اس اس دی سامسونگ 990 PRO مدل M.2 NVMe 2 TB با سرعت خواندن حداکثر ۷۴۵۰ MB/s و نوشتن ۶۹۰۰ MB/s، کنترلر داخلی پیشرفته، فناوری V NAND 3 bit و پشتیبانی از PCIe 4.0x4؛ گزینهای ایدهآل برای گیمرها، طراحان و کاربران حرفهای که به عملکرد بینظیر و پایداری بالا نیاز دارند.
- محصول را ذخیره کنید تا از تغییرات آن با خبر شوید.
سامسونگ 990 PRO سری جدیدی از SSDهای M.2 NVMe را معرفی میکند که هدف آن ارائه سرعتی نزدیک به مرزهای فیزیکی PCIe 4.0 است. با ظرفیت ۲ ترابایت، این درایو برای کاربران حرفهای که به فضای ذخیرهسازی بزرگ و عملکرد فوقالعاده نیاز دارند، طراحی شده است. فناوری V NAND 3 bit (TLC) سامسونگ، کنترلر داخلی پیشرفته و بهینهسازیهای نرمافزاری جدید، ترکیبی قدرتمند برای کاهش تاخیر و افزایش توان عملیاتی در بارهای سنگین فراهم میآورد.
این SSD در فرمفاکتور استاندارد M.2 2280 عرضه میشود؛ ابعاد ۲۲ mm ۸۰ mm ۳٫۲ mm و وزن حدود ۷ گرم. بدنه از آلومینیوم CNC با پوشش حرارتی ویژه ساخته شده تا در طول استفاده طولانیمدت دما را بهینه نگه دارد. طراحی بدون درایورهای مکانیکی، مقاومت در برابر ارتعاش و شوک را بهبود میبخشد و نصب ساده در هر مادربوردی که اسلات M.2 را پشتیبانی میکند، امکانپذیر است.
این ترکیب باعث میشود که 990 PRO در تستهای VDBench و CrystalDiskMark عملکردی نزدیک به حداکثر توان PCIe 4.0 ارائه دهد.
هیتسینک آلومینیومی با پرههای ریز، جریان هوا را به طور مؤثر از سطح چیپست هدایت میکند. سامسونگ الگوریتمهای دینامیک مدیریت توان (Dynamic Thermal Guard) را به کار برده تا در حین بارهای سنگین دما را زیر ۷۰ C نگه دارد و از کاهش سرعت (thermal throttling) جلوگیری کند. صدای ناشی از ارتعاشات به حداقل میرسد؛ در واقع این SSD تقریباً بیصداست.
در تستهای بازیهای نسل جدید مانند Cyberpunk 2077 و Red Dead Redemption 2، زمان بارگذاری سطوح بهطور متوسط ۲٫۵ ۳٫۲ ثانیه کاهش یافت که نسبت به نسل قبلی (980 PRO) حدود ۲۵٪ بهبود دارد. در رندرینگ ویدئویی 4K با نرمافزارهای Premiere Pro، زمان رندر بهطور متوسط ۱۸٪ سریعتر انجام شد. بنچمارکهای PCMark 10 و Geekbench 5 نیز نشانگرهای بالای ۷۰۰۰ امتیاز در بخش ذخیرهسازی دارند.
این درایو از اسلات M.2 (Key M) با پشتیبانی از PCIe 4.0 x4 و NVMe 1.4 بهره میبرد. سازگاری کامل با اکثر مادربوردهای جدید از سری Intel Z690/ Z790 و AMD X670E/X670 است. در صورت استفاده در پلتفرمهای قدیمیتر (PCIe 3.0) نیز عملکرد قابلقبولی ارائه میدهد، هرچند سرعت حداکثری کاهش مییابد.
مصرف توان در حداکثر بار حدود ۶٫۵ وات است؛ در حالت استندبای حدود ۰٫۲ وات. برای اطمینان از پایداری، توصیه میشود منبع تغذیه حداقل ۶۰۰ وات با پایداری ولتاژ 12V داشته باشید. این SSD از ویژگی Power Loss Protection داخلی بهره میبرد که در صورت قطع ناگهانی برق، دادههای در حال نوشتن را حفظ میکند.
Samsung 990 PRO با ترکیب سرعتی نزدیک به حداکثر PCIe 4.0، پایداری ساخت و فناوری NAND پیشرفته، یکی از بهترین گزینههای موجود در بازار SSDهای M.2 برای کاربران حرفهای است. اگر به دنبال ارتقاء سیستم خود به سطحی بالاتر از سرعت و قابلیت اطمینان هستید، این درایو سرمایهگذاری هوشمندانهای خواهد بود.
در دنیای امروز، زمان بارگذاری دادهها میتواند تفاوت بین یک تجربه روان و یک مانع جدی باشد. Samsung 990 PRO با خواندن ترتیبی تا ۷۴۵۰ MB/s و نوشتن ترتیبی تا ۶۹۰۰ MB/s، سرعتی را ارائه میدهد که تقریباً تمام محدودیتهای PCIe 4.0 را به چالش میکشد. این سرعت نه تنها در بازیهای سنگین که زمان بارگذاری سطوح را بهطور چشمگیری کاهش میدهد، بلکه در کارهای حرفهای مانند رندرینگ ویدئو 4K یا پردازش دادههای بزرگ نیز بهکار میآید. فناوری V NAND 3 bit سامسونگ، ترکیب شده با کنترلر داخلی پیشرفته، باعث میشود که هر تراکنش دادهای با کمترین تاخیر انجام شود و در نهایت کاربر حس میکند که سیستمش بهصورت لحظهای به درخواستهایش پاسخ میدهد. علاوه بر سرعت، Samsung 990 PRO بهدلیل بهینهسازیهای نرمافزاری خاص، توانسته است عملکرد پایدار و بدون افت در طول زمان را حفظ کند. در تستهای طولانیمدت، این درایو توانست دما را زیر ۷۰ C نگه دارد و از کاهش سرعت (thermal throttling) جلوگیری کند. این ویژگی برای کاربران حرفهای که بهصورت مداوم بارهای سنگین روی سیستم خود اعمال میکنند، اهمیت ویژهای دارد؛ زیرا هرگونه کاهش سرعت میتواند بهصورت مستقیم بر بهرهوری کاری تأثیر بگذارد.

مدل
990 PRO
سازنده
سامسونگ
ابعاد
طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.3 میلی متر میلیمتر
وزن
9 گرم گرم
رابط
M.2 NVME
نوع رابط PCIe
PCIe 4.0
ظرفیت
1 ترابایت
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND 3-bit MLC
میانگین طول عمر (MTBF)
1.500.000 ساعت میلیمتر
نوع کنترل کننده (Controller)
Samsung in-house
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 1,400,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 1,550,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
7450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
6900 مگابایت بر ثانیه
مقاوم در برابر شوک
دارد
هیت سینک خنک کننده
ندارد
پشتیبانی از TRIM
دارد