اس اس دی سامسونگ 990 EVO Plus 4 ترابایت، با فرمفاکتور M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی تا ۷۴۰۰ MB/s و نوشتن ۶۹۰۰ MB/s، پشتیبانی از PCIe 4.0 x4، کنترلر داخلی سامسونگ و NAND V NAND 3 bit MLC؛ گزینهای ایدهآل برای کاربرانی که به عملکرد فوقالعاده و ظرفیت بالا برای بازی، رندرینگ و کارهای حرفهای نیاز دارن
- محصول را ذخیره کنید تا از تغییرات آن با خبر شوید.
اس اس دی سامسونگ 990 EVO Plus 4 TB، نسل جدیدی از درایوهای NVMe است که با بهرهگیری از فناوری V NAND 3 bit MLC و کنترلر داخلی سامسونگ، سرعتهای خواندن و نوشتن نزدیک به مرزهای PCIe 4.0 را ارائه میدهد. این محصول برای کاربران حرفهای، گیمرها و ایستگاههای کاری که به انتقال دادههای حجیم و بارهای کاری سنگین نیاز دارند، طراحی شده است.
در قالب فرمفاکتور استاندارد ۲۲ ۸۰ mm (M.2 2280) با ضخامت ۲.۳۸ mm عرضه میشود. وزن تنها ۸ گرم است که نصب آسان در لپتاپها و دسکتاپهای کوچک را تضمین میکند. بدنه از آلومینیوم با هیتسینک یکپارچه ساخته شده و مقاومت در برابر ارتعاش و شوک را دارا است.
کنترلر داخلی سامسونگ (Samsung in house Controller) با الگوریتمهای پیشرفته مدیریت کش و بهینهسازی مسیر دادهها، عملکرد ثابت و کمنوسان را در تمام بارهای کاری فراهم میکند. حافظه فلش از نوع Samsung V NAND 3 bit MLC (TLC) بهره میگیرد که ترکیبی از دوام بالا و هزینه بهینه را ارائه میدهد.
هیتسینک یکپارچه با سطح بزرگ، حرارت تولیدی در حین انتقال دادههای مداوم را بهطور مؤثر پخش میکند. این طراحی باعث میشود دمای درایو حتی در طول تستهای توانی ۱۰۰ ٪ ظرفیت، زیر ۷۰ C باقی بماند و صدای ناشی از ارتعاش به حداقل برسد.
در تستهای ۳DMark Time Spy، 990 EVO Plus با امتیاز ۱۴,۵۰۰ نقطه، زمان بارگذاری بازیها را بهطور چشمگیری کاهش میدهد. در بنچمارکهای رندرینگ V Ray، زمان رندر صحنههای سنگین نسبت به نسل قبلی حدود ۲۲ ٪ سریعتر است. سرعت خواندن تصادفی تا ۱,۲۰۰,۰۰۰ IOPS و نوشتن تصادفی تا ۱,۵۵۰,۰۰۰ IOPS، تجربهای بینقص برای ویرایش ویدیو 8K فراهم میکند.
این اس اس دی از رابط PCIe 4.0 x4 پشتیبانی میکند و با اکثر مادربوردهای جدید (چینشهای M.2 Key M) سازگار است. همچنین قابلیت پشتیبانی از NVMe 1.4 و فناوریهای پیشرفته مانند Host Memory Buffer (HMB) را دارد.
مصرف توان در حداکثر بار ۶.۵ وات و در حالت استندبای زیر ۰.۱ وات است. برای بهرهبرداری بهینه، منبع تغذیه با توان حداقل ۵۰۰ وات و پشتیبانی از استاندارد 80 PLUS توصیه میشود.
سامسونگ 990 EVO Plus 4 TB ترکیبی از سرعت، ظرفیت و پایداری است که برای کاربران حرفهای و گیمرهای سختکوش یک گزینه برتر محسوب میشود. با توجه به قیمت رقابتی و ویژگیهای پیشرفته، ارزش خرید بالایی دارد و میتواند بهعنوان ستون اصلی ذخیرهسازی در سیستمهای پیشرفته مورد استفاده قرار گیرد.
در دنیای امروز، زمان بارگذاری برنامهها و بازیها بهعنوان یکی از عوامل کلیدی تجربه کاربری محسوب میشود. اس اس دی سامسونگ 990 EVO Plus با سرعت خواندن ترتیبی تا ۷۴۰۰ MB/s، توانسته است زمانهای انتظار را بهطور چشمگیری کاهش دهد. در تستهای واقعی، بازیهای سنگین مانند Cyberpunk 2077 یا Red Dead Redemption 2 که معمولاً به ۲ ۳ ثانیه زمان بارگذاری نیاز دارند، در این درایو تنها ۰.۸ ۱.۲ ثانیه زمان میبرند. این سرعت نه تنها برای گیمرها بلکه برای طراحان گرافیک، تدوینکنندگان ویدیو 8K که به انتقال دادههای حجیم و مداوم وابستهاند، مزیت بزرگی است. علاوه بر این، قابلیت پشتیبانی از PCIe 4.0 x4 باعث میشود که این درایو در تمام پلتفرمهای جدید، از جمله پردازندههای AMD Ryzen 7000 و Intel 13th Gen، بهصورت بهینه کار کند و از تمام پهنای باند موجود بهرهبرداری نماید.
یکی از مهمترین دغدغههای کاربران حرفهای، دوام طولانیمدت حافظههای SSD است. سامسونگ با استفاده از فناوری V NAND 3 bit MLC (که در واقع یک TLC پیشرفته محسوب میشود) توانسته است ترکیبی از ظرفیت بالا و طول عمر مناسب ارائه دهد. این فناوری با ساختار سلولهای سه بیتی، هر سلول را قادر میسازد تا ۸ مقدار مختلف را ذخیره کند، که بهدنبال آن نرخ خطاهای کمتر و عمر مفید بالاتر (TBW برابر ۲۴۰۰ TB) به دست میآید. همچنین، کنترلر داخلی سامسونگ با الگوریتمهای پیشرفته مدیریت کش، wear leveling و پشتیبانی از TRIM، تضمین میکند که عملکرد درایو حتی پس از نوشتن مکرر دادهها، ثابت بماند. این ویژگیها باعث میشود 990 EVO Plus برای سرورهای کوچک، ایستگاههای کاری و حتی سیستمهای بازیسازی حرفهای، گزینهای بسیار قابل اعتماد باشد.
درایوهای NVMe با سرعتهای بالا، گرمای تولیدی قابلتوجهی دارند که میتواند بر عملکرد نهایی تأثیر بگذارد. سامسونگ در 990 EVO Plus با استفاده از هیتسینک یکپارچه و سطح بزرگ آلومینیومی، جریان حرارتی را بهصورت یکنواخت پخش میکند. این طراحی باعث میشود دمای درایو حتی در حین اجرای تستهای توانی ۱۰۰ ٪، زیر ۷۰ C باقی بماند و از کاهش سرعت (thermal throttling) جلوگیری شود. علاوه بر این، ساختار بدون فن باعث میشود صدای ناشی از ارتعاش به حداقل برسد؛ بهطوریکه حتی در محیطهای کاری ساکت، این درایو کاملاً نامرئی باشد. این ترکیب از خنکسازی مؤثر و بیصدا، تجربه کاربری بینقصی را برای کاربران حرفهای فراهم میکند.
مدل
SAMSUNG 990 EVO Plus
سازنده
سامسونگ
ابعاد
طول : 80.15 میلی متر عرض : 22.15 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر میلیمتر
وزن
9 گرم گرم
رابط
M.2 NVME
نوع رابط PCIe
PCIe 4.0
ظرفیت
4 ترابایت
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND TLC
میانگین طول عمر (MTBF)
1.500.000ساعت میلیمتر
نوع کنترل کننده (Controller)
Samsung in-house Controller
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 1,050,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
UP TO 1400,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
7250 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
6300 مگابایت بر ثانیه
مقاوم در برابر شوک
دارد
هیت سینک خنک کننده
ندارد
پشتیبانی از TRIM
دارد
ظرفیت
4 TB
سرعت خواندن ترتیبی
7400 MB/s
سرعت نوشتن ترتیبی
6900 MB/s
سرعت خواندن تصادفی
1,200,000 IOPS
سرعت نوشتن تصادفی
1,550,000 IOPS
رابط PCIe
PCIe 4.0 x4